《半導體》旺宏總座盧志遠獲選TWAS院士

【時報-台北電】旺宏電子 (2337) 總經理盧志遠近日獲選為「世界科學院」(The World Academy of Sciences,TWAS)2020年新任院士,以表彰他在半導體物理與元件技術的卓越貢獻。

盧志遠獲選TWAS「工程科學」(Engineering Sciences)學門院士。TWAS認為盧志遠在半導體元件物理,積體電路製程開發及整合技術方面皆有開創性的科學創新及傑出的技術貢獻。尤其,盧志遠更是一位創新的高科技企業家和半導體行業的傑出領導者。

盧志遠2014年即曾獲得TWAS推選為工程科學獎得主。他長期投身於科技創新及尖端研發,不但是位傑出科研專家,且又能具體實踐應用。早於1980年代中期,他於美國AT&T貝爾實驗室(Bell Labs)領導研究計畫時,即曾研發高達600V之BCDMOS IC技術,為當時業界最高伏的技術。

盧志遠1987年時也是全球首位於IEDM發表技術論文探討DRAM最詭譎的可靠性問題,促使業界大幅提升DRAM可靠度,之後領導研發0.6微米CMOS第六代Twin-tub製程技術,部份技術理論迄今仍被廣泛引用,帶動半導體產業今日的蓬勃發展。

1989年,盧志遠受邀回台出任工研院電子所副所長,帶領工研院團隊執行台灣最大科專計畫的次微米計畫,讓台灣具備8吋晶圓產製能力,成功將台灣推向世界高科技舞台。次微米計畫之後衍生成立世界先進,成為催化台灣記憶體產業的重要推手。(新聞來源:工商時報─涂志豪/台北報導)