《半導體》強茂攜手工研院,明年Q1建IGBT模組試量產線

【時報記者張漢綺台北報導】工研院與強茂公司 (2481) 今(28)日簽約,工研院以其所開發的IGBT智慧功率模組與強茂宣示產研攜手共同建立IGBT智慧功率模組試量產線,強茂將在2019年第1季設立IGBT模組試量產線,成為大中華區唯一能提供客戶IGBT從晶片到模組整體解決方案的供應商,逐步拉近與歐美國際大廠技術距離。

隨著各大車廠紛紛投入電動車市場,攸關電能轉換效率的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣閘雙極電晶體)功率半導體也炙手可熱,工研院在功率模組技術研發已經深耕超過8年,工研院電光系統所所長吳志毅表示,在經濟部科技專案支持下,工研院所開發的IGBT智慧功率模組,透過電腦輔助工程軟體分析,相較於傳統陶瓷基板架構的模組,改善了40%的熱阻,並大幅降低運作中的溫度,以提升電能轉換運作過程中之系統穩定性與轉換效率,其效能及可靠度均與國際大廠產品並駕齊驅。

瞄準此潛力市場,工研院與強茂公司於今天簽約,工研院以其所開發的IGBT智慧功率模組,與強茂宣示產研攜手共同建立IGBT智慧功率模組試量產線,運作上可較傳統產品降低40%熱阻、降低晶片運作中的溫度達20度C,工研院與強茂希望藉由此次合作,建立自主IGBT模組設計、封裝、測試等技術能力,並將朝向大功率電力電子應用模組產品持續邁進,建立台灣IGBT功率模組自主技術能量,擴展台灣產業市場影響力。

強茂表示,隨著電動汽車市場的成長,電源模組正在成為價值鏈中的關鍵部分,2013年以後,大中華市場為強茂未來重點發展重點區域,強茂公司規劃IGBT產品可望在2019年跨入電動摩托車領域,為公司搶攻車用IGBT奠定基礎。看好IGBT應用與因應國際化轉型,強茂與工研院合作IGBT功率模組開發,並在2019年第1季設立IGBT模組試量產線,成為大中華區唯一能提供客戶IGBT從晶片到模組整體解決方案的供應商,逐步拉近與歐美國際大廠技術距離。