伺服器記憶體高成長 3年內成DRAM主流

(中央社記者張建中新竹2018年5月22日電)受惠資料中心持續不斷建置,伺服器記憶體近年出貨高度成長,成長速度超越DRAM主流的行動記憶體,集邦科技預期,伺服器記憶體可望於3年內躍居市場主流。

市調機構集邦科技表示,萬物相連時代來臨,大量資料的產生,帶動資料中心快速建置,預期未來5至10年資料量將持續倍數成長,對運算處理相關的DRAM,及具資料儲存功能的NAND Flash需求將不斷增溫。

集邦科技資深研究協理吳雅婷認為,包括高頻寬、高運算速度或省電與耐用性,都將是未來記憶體發展的重要課題。

在動態隨機存取記憶體(DRAM)方面,吳雅婷表示,資料中心不斷建置,驅動近年伺服器記憶體出貨大幅攀升,增長速度超越主流的行動記憶體,預期未來2至3年內,伺服器記憶體可望躍居DRAM市場主流。

至於儲存型快閃記憶體(NAND Flash),吳雅婷指出,隨著智慧家庭與自動駕駛等新興領域不斷發展,擁有運算能力的終端產品數量將會提升,並將帶動NANDFlash需求持續增加。(編輯:鄭雪文)